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艾华半导体申请多腔体真空镀膜设备配方系统及控制方法专利，可有效缩小设备体积:真空镀膜
金融界2025年5月5日消息，国家知识产权局信息显示，艾华（无锡）半导体科技有限公司申请一项名为“一种多腔体真空镀膜设备配方系统及控制方法”的专利，公开号CN119913457A，申请日期为2025年
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金融界2025年5月5日消息，国家知识产权局信息显示，艾华（无锡）半导体科技有限公司申请一项名为“一种多腔体真空镀膜设备配方系统及控制方法”的专利，公开号CN119913457A，申请日期为2025年